DMMT5551S-7 datasheet
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>> DMMT5551S-7 两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
DMMT5551S-7
库存数量:
可订货
制造商:
Diodes Inc.
描述:
两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述
两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR
DMMT5551S-7 PDF下载
制造商
Diodes Inc.
配置
Dual
晶体管极性
NPN
集电极—基极电压 VCBO
180 V
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
300 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min
80 at 1 mA at 5 V
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26
相关资料
属性
链接
代理商
DMMT5551S-7
DMMT5551S-7-F
DMMT5551-TP
DMN100-7
DMN100-7-F
DMN100-7-F-F
供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
深圳市亚泰盈科电子有限公司
15338868823
郑小姐
深圳市欧和宁电子有限公司
0755-29275935
李先生
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
深圳市亿联芯电子科技有限公司
18138401919
吴经理
深圳市众芯微电子有限公司
0755-83208010
陈小姐
深圳市华金瑞电子有限公司
15323844149
刘
深圳市优赖电子科技有限公司
13410908131
朱珠
北京首天伟业科技有限公司
010-62565447
刘先生
深圳市禧创科技有限公司
13509620153
罗双
DMMT5551S-7 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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